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onsemi NDT456P MOSFET

訂 貨 號：NDT456P      品牌：Onsemi/安森美

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

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onsemi NDT456P MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

增強模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

在半導體方面， P 通道 MOSFET 采用半導體專有的高細胞密度 DMOS 技術制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻，從而為快速交換提供堅固可靠的性能。

特點和優(yōu)勢：

?電壓控制的 P 通道小信號開關
?高密度單元設計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術

應用：

?負載切換
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
?電池保護
?電源管理控制
?直流電機控制

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 7.5 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT-223
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3 + Tab
最大漏源電阻值 54 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 3 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 3.7mm
典型柵極電荷@Vgs 47 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
長度 6.7mm
晶體管材料 Si
暫無
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