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Fairchild Semiconductor FDB3632_F085 MOSFET

訂 貨 號：FDB3632_F085      品牌：IRC

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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Fairchild Semiconductor FDB3632_F085 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超過 60A，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 22 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 310 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 84 nC @ 10 V
寬度 9.65mm
長度 10.67mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無
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