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產(chǎn)品分類(lèi)
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英飛凌 IRLL3303PBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRLL3303PBF      品牌：IR/國(guó)際整流器

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
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通 訊：    
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英飛凌 IRLL3303PBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問(wèn)題。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 6.5 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類(lèi)型 SOT-223
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3 + Tab
最大漏源電阻值 31 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.1 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
晶體管材料 Si
寬度 3.7mm
長(zhǎng)度 6.7mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 34 nC @ 10 V
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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