,,

分類：

當(dāng)前位置：首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Infineon IRLL3303TRPBF MOSFET

訂貨號：IRLL3303TRPBF 品牌：IR/國際整流器

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場價：￥0.00 品牌商：￥0.00

暫無報價

立即購買加入購物車立即詢價

公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電話：
手機：
地址：
通訊：

主營產(chǎn)品：

店鋪主頁

您還不是會員，無法查看相關(guān)信息

去登錄

替代產(chǎn)品
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	6.5 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SOT-223
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3 + Tab
最大漏源電阻值	45 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	1V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	2.1 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-16 V、+16 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	3.7mm
長度	6.7mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+150 °C
典型柵極電荷@Vgs	34 nC @ 10 V

暫無

正在載入評論詳細...

欧美成人黄色网_欧美精品久久_国产在线一区二区三区_免费视频久久久_亚洲二区视频_欧美大片免费高清观看

工業(yè)電氣產(chǎn)品

工業(yè)控制產(chǎn)品

傳感測量產(chǎn)品

儀表工具產(chǎn)品

工業(yè)電子產(chǎn)品

機械設(shè)備產(chǎn)品

Infineon IRLL3303TRPBF MOSFET

公司基本資料信息

推薦商品

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

MOSFET 晶體管，Infineon

新手指南

業(yè)務(wù)合作

物流配送

支付方式

售后服務(wù)

關(guān)于我們