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Infineon IRL60B216 MOSFET

訂 貨 號：IRL60B216      品牌：IR/國際整流器

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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Infineon IRL60B216 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

StrongIRFET? Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon

是 Infineon StrongIRFET 系列的擴展，針對 +5V 邏輯電平柵極驅(qū)動的優(yōu)化。 它們共享與現(xiàn)有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高電路載流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
適用于電池供電系統(tǒng)
應(yīng)用范圍：電機驅(qū)動器、同步整流器系統(tǒng)、OR-ing 和冗余電源開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 305 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 2.2 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.4V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 375 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 172 nC @ 10 V
長度 10.67mm
寬度 4.83mm
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
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