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Infineon IRFL014NTRPBF MOSFET

訂 貨 號:IRFL014NTRPBF      品牌:IR/國際整流器

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

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Infineon IRFL014NTRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon IRFL014N 是 55V 單 N 通道紅外 MOSFET ,采用 SOT-223 封裝。此設(shè)備具有 Advanced 處理技術(shù),可實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。

表面安裝
Advanced 工藝技術(shù)
超低接通電阻

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 2.7 A
最大漏源電壓 55 V
封裝類型 SOT-223
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3+Tab
最大漏源電阻值 160 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 2.1 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長度 6.7mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 7 nC @ 10 V
寬度 3.7mm
暫無
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