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onsemi 2N7002KT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):2N7002KT1G      品牌:Onsemi/安森美

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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onsemi 2N7002KT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor

2N7002K 是一個(gè)小信號(hào) MOSFET 。此 MOSFET 是單個(gè) N 通道,表面安裝封裝具有 ESD 保護(hù)功能。該 MOSFET 能提高系統(tǒng)效率,并在便攜式應(yīng)用中發(fā)揮巨大作用。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):

? ESD 保護(hù)
? N 信道
?低 RDS
?無(wú)鉛和無(wú)鹵素
?排空至電源 -60 V
?提高系統(tǒng)效率

應(yīng)用:

?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?電平換檔電路
?低側(cè)負(fù)載開關(guān)
?便攜式應(yīng)用,如電話, PDA , DSC ,筆記本電腦和平板電腦。

MOSFET 晶體管,ON Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 380 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 2.5 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.3V
最大功率耗散 420 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 3.04mm
典型柵極電荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
寬度 1.4mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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