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Infineon IRFH8337TR2PBF MOSFET

訂 貨 號:IRFH8337TR2PBF      品牌:IR/國際整流器

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RoHS:符合

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Infineon IRFH8337TR2PBF MOSFET
產品詳細信息

N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 35 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PQFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 19.9 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.35V
最小柵閾值電壓 1.35V
最大功率耗散 27 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數目 1
寬度 5mm
最高工作溫度 +150 °C
長度 5.85mm
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
暫無
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