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onsemi FCH25N60N MOSFET

訂 貨 號(hào):FCH25N60N      品牌:Onsemi/安森美

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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onsemi FCH25N60N MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SupreMOS? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超級(jí)結(jié) MOSFET - SupreMOS?。
與 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和總柵極電荷讓品質(zhì)因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列為相同的 RDS(接通)提供低柵極電荷,提供極佳的切換性能,切換和傳導(dǎo)損耗降低 20%,從而獲得更高的效率。
這些特征讓電源符合用于臺(tái)式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黃金分類和用于服務(wù)器的白金分類。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 25 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 126 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 216 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長(zhǎng)度 15.87mm
典型柵極電荷@Vgs 57 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 4.82mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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