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訂 貨 號:IPW60R037CSFDXKSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS 超結(jié) MOSFET 是經(jīng)過優(yōu)化的設(shè)備,專為滿足板載 EV 充電市場領(lǐng)域的需求而定制。得益于低柵極電荷 (Qg) 和改進(jìn)的切換行為,它可在目標(biāo)市場中提供最高效率。此外,它還隨附集成快速主體二極管和大幅降低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) ,可在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)最高可靠性。由于具有這些功能, IPW60R037CSFD 符合車載 EV 充電站市場的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn),并進(jìn)一步支持高功率密度解決方案。
超快主體二極管
杰出反向恢復(fù)電荷 (Qrr)
改進(jìn)的反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅(jiān)固性
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 236 a |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-to 247-3. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.037 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |