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Infineon 600V cool mos ? C7 超接點（ sj ） mosfet 系列的關閉損耗（ e oss ）比 cool mos ? cp 減少 ～50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結構中提供卓越的性能。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。效率和 tco （總擁有成本）應用，如超數(shù)據(jù)中心和高效電信整流器 (96%)>，得益于 cool mos ? C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓撲中實現(xiàn) 0.3% 至 0.7% 的增益，在 LLC 中實現(xiàn) 0.1% 的增益。例如，對于 2.5kw 服務器 psu ，使用采用 to-247 4pin 封裝的 600V cool mos ? C7 sj 型功率半導體器件， psu 能量損耗可降低 ～10% 的能耗。

減小開關損耗參數(shù)，如 Q G、C oss、E oss
同類最佳的品質因數(shù) Q G*R DS（接通）
增加切換頻率
全球最佳的 R（接通）*A
堅固的體二極管