DiodesZetex 生產的互補對增強模式 MOSFET，旨在最大限度地減少導通電阻 (RDS(ON)) ，同時保持卓越的開關性能，是高效電源管理應用的理想之選。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 SOT363 封裝且具有 0.6mm 的高度，非常適合薄型應用。具有切換速度快和效率高的特點。100% 無鉗位電感開關，確保更加可靠而穩健的終端應用
最大漏極-源極電壓 20 V 最大柵極-源極電壓 ±6 V 超小封裝尺寸 封裝散熱效率高，可用于更高密度的成品
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 600 mA，750 mA |
| 最大漏源電壓 | 20 V，20 V |
| 封裝類型 | SOT-363 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 0.75 O，1.5 O |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
