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Fairchild Semiconductor FDME820NZT MOSFET

訂 貨 號(hào):FDME820NZT      品牌:IRC

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Fairchild Semiconductor FDME820NZT MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 9 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 MLP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 32 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.5V
最大功率耗散 2.1 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 1.6mm
典型柵極電荷@Vgs 8.5 nC @ 4.5
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 1.6mm
暫無
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