Wolfspeed 推出了 SiC 電源設備技術的最新突破：業界首款 900 V MOSFET 平臺。全新的 900V 平臺經過優化、可用于高頻功率電子應用、包括可再生能源反相器、電動車充電系統和三相工業電源、可實現更小、更高效率的下一代功率轉換系統、并且成本與基于硅的解決方案相當。
新低阻抗封裝，帶驅動器源
高速切換、低電容
高阻塞電壓，具有低 RDS（接通）
可耐受雪崩
快速固有二極管，具有低反向恢復（反向恢復電荷）
易于并行且易于驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 11 A |
| 最大漏源電壓 | 900 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 280 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -8 V，18 V |
| 寬度 | 9.12mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 9.5 常閉 @ 4/15V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.23mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | SiC |
