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產(chǎn)品分類(lèi)
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Infineon IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IMBG65R107M1HXTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
店鋪主頁(yè)

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Infineon IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC,基于固體碳化硅技術(shù),利用寬帶隙 SiC 材料特性,650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨(dú)特組合,適用于在高溫和惡劣環(huán)境中操作,可實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率的簡(jiǎn)化和具有成本效益的部署。

更高電流時(shí)的優(yōu)化切換行為,
切換堅(jiān)固的快速主體二極管,具有低 Qf,
卓越的
柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴(lài)溫度,
增強(qiáng)的浪涌能力,
與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器兼
容,Kelvin 源提供高達(dá) 4 倍低的切換損耗


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 24 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類(lèi)型 TO-263
安裝類(lèi)型 表面貼裝
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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