英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC，基于固體碳化硅技術，利用寬帶隙 SiC 材料特性，650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨特組合，適用于在高溫和惡劣環境中操作，可實現最高系統效率的簡化和具有成本效益的部署。
更高電流時的優化切換行為,
切換堅固的快速主體二極管,具有低 Qf,
卓越的
柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴溫度,
增強的浪涌能力,
與標準驅動器兼
容,Kelvin 源提供高達 4 倍低的切換損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 24 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
