為您的便攜式設計提供開關解決方案。多種高達 20 V 的單雙 N 通道 MOSFET 可供選擇。由于我們值得信賴的 TrenchMOS 和封裝技術而具有出色的可靠性。易于使用，我們的低電壓 MOSFET 專門設計用于滿足具有低驅動電壓的便攜式應用的要求。
N 通道增強模式場效應晶體管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，使用 Trench MOSFET 技術。
Trench MOSFET 技術
低閾值電壓
超快切換
增強型功耗能力為 1000 mW
目標應用
LED 驅動器
電源管理
低側負載開關
開關電路
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 5.4 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | TO-236AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 0.9V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 12 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 1.4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| 長度 | 3mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
