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Infineon IMW120R020M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號:IMW120R020M1HXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IMW120R020M1HXKSA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon CoolSiC 1200 V、20 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-3 封裝,采用最先進的溝槽半導體工藝,是性能與可靠性的良好結合,包括在 1200 V 開關中看到的最低柵極電荷和設備電容水平,內部換向證明體二極管無反向恢復損耗。CoolSiC MOSFET 是硬開關和諧振開關拓撲結構的理想選擇,如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲結構和 DC-DC 轉換器或 DC-AC 逆變器。

VDSS - T - 25°C 時為 1200 V
IDCC - T - 25°C 時為 98 A
RDS(on) - VGS - 18 V、T - 25°C 時為 19 MΩ
非常低的切換損耗
短路耐受時間 3 微秒
基準門限電壓,VGS(th) - 4.2 V
對寄生性開啟的穩健性,可應用 0V 的關斷門電壓
用于硬換向的穩健體二極管
XT 互連技術實現了同類最佳的熱性能


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 127 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
暫無
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