DiodesZetex 8V 9 引腳 p 通道增強模式 mosfet 設計用于最大程度減少通態損耗和超快開關、使其特別適用于高效電源傳輸。它使用芯片級封裝、通過將低熱阻抗與最小的每個印跡面積相結合來提高功率密度。其柵 - 源電壓為 6 v 、熱功耗為 1.2 w 。
柵極 esd 保護
CSP 為 1.5mm x
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 9.8 a 、 13.2 a |
| 最大漏源電壓 | 8 V |
| 封裝類型 | UWLB1515 |
| 引腳數目 | 9 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0091 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.1V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
