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Infineon IPB60R180C7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB60R180C7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPB60R180C7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 600V cool mos ? C7 超接點( sj ) mosfet 系列的關閉損耗( e oss )比 cool mos ? cp 減少 ~50% ,在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結構中提供卓越的性能。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。效率和 tco (總擁有成本)應用,如超數據中心和高效電信整流器 (96%)>,得益于 cool mos ? C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓撲中實現 0.3% 至 0.7% 的增益,在 LLC 中實現 0.1% 的增益。例如,對于 2.5kw 服務器 psu ,使用采用 to-247 4pin 封裝的 600V cool mos ? C7 sj 型功率半導體器件, psu 能量損耗可降低 ~10% 的能耗。

減小開關損耗參數,如 Q G、C oss、E oss
同類最佳的品質因數 Q G*R DS(接通)
增加切換頻率
全球最佳的 R(接通)*A
堅固的體二極管


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 13 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.18 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
暫無
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