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訂 貨 號:BSZ040N06LS5ATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道功率 MOSFET 具有 60 V 漏源電壓(VDS)和 101 A 漏電流(ID)。邏輯電平非常適合無線充電、適配器和電信應(yīng)用。設(shè)備的低柵極充電(Qg)可減少切換損耗,不會影響傳導(dǎo)損耗。品質(zhì)因數(shù)改進(jìn),允許在高切換頻率下操作。此外,邏輯電平驅(qū)動器提供低柵極閾值電壓(V GS(th)),允許在 5 V 條件下直接從微控制器驅(qū)動 MOSFET。
經(jīng)優(yōu)化,適合高性能 SMPS(例如,同步錄音)
100% 通過雪崩測試
卓越的熱阻
N 溝道
針對目標(biāo)應(yīng)用,符合 JEDEC1 標(biāo)準(zhǔn)
無鉛引線鍍層
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 無鹵素
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 101 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | PG-TDSON |
安裝類型 | 表面安裝器件 |