Infineon MOSFET OptiMOSTM 功率晶體管采用無鉛鍍層，符合 RoHS 標準，滿足 IEC61249-2-21 的無鹵素要求。
P 通道
超低導通電阻 RDS （導通）
100% 通過崩潰測試
正常能級
增強型
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 6.5 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PG-TO252-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
