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Infineon IPB65R190CFDAATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPB65R190CFDAATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
店鋪主頁(yè)

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Infineon IPB65R190CFDAATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

the Infineon 650V cool mos cfda 超級(jí)接點(diǎn)( sj ) mosfet 是 the 英飛凌公司第二代市場(chǎng)領(lǐng)先的汽車(chē)高壓 cool mos 功率 mosfet 。除了汽車(chē)行業(yè)所需的高質(zhì)量和可靠性的聞名屬性外、 650V cool mos cfda 系列還提供集成快速主體二極管。

首款 650V 汽車(chē)認(rèn)證技術(shù)、帶集成快速主體二極管 在市場(chǎng)上
硬換向期間有限電壓過(guò)沖–自限制 di/dt 和 dv/dt
低柵極電荷值 q g
車(chē)身二極管和上的重復(fù)換向時(shí) q rr 低 低 q oss
減少接通和延時(shí)時(shí)間
由于擊穿電壓較高、安全裕度增加
減少 emi 外觀、易于設(shè)計(jì)
更好的輕負(fù)載效率
降低切換損耗
可提供更高的切換頻率和 / 或更高的占空比
高質(zhì)量和高可靠性


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 57.2 a
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 Pg- TO263
安裝類型 表面貼裝
最大漏源電阻值 0.19 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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