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采用 SuperSO8 封裝的 Infineon OptiMOS MOSFET BiC 擴展了 OptiMOS 5 產(chǎn)品線,在提高穩(wěn)健性的同時,實現(xiàn)了更高的功率密度,滿足了降低系統(tǒng)成本和提高性能的需求。本 MOSFET 專為電信和服務器電源的同步整流設計。
更低滿載溫度
更少并聯(lián)
減少過沖
提高系統(tǒng)功率密度
更小尺寸
降低系統(tǒng)成本
減少工程成本與工作量
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 237 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | PG-T-SON-8-3 |
安裝類型 | 表面貼裝 |