優點：
低 RDS（接通）
動態 dv/dt 額定值
快速切換
雙 N 和 P 溝道 MOSFET
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 3.4 A，4.7 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.065 Ω 、 0.17 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 寬度 | 4mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 2.3 nC @ 10 V、24 nC @ 10 V |
| 長度 | 5mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
