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Microchip VP2206N3-G MOSFET

訂 貨 號(hào):VP2206N3-G      品牌:Microchip

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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Microchip VP2206N3-G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Microchip VP2206 系列是增強(qiáng)型 (常閉) 晶體管,采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和 Supertex 久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。這些垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應(yīng)用。

它具有 " 無(wú)二級(jí)故障 "
它具有低功率驅(qū)動(dòng)要求
它提供易于并聯(lián),低 CISS 和快速切換速度
它具有高輸入阻抗和高增益,具有出色的 熱穩(wěn)定性
它具有一體式源極 - 漏極二極管


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 P
最大連續(xù)漏極電流 643 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類(lèi)型 TO-92
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 1.5. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
晶體管材料
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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