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Infineon IMW120R060M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號:IMW120R060M1HXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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Infineon IMW120R060M1HXKSA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon coolsic ? 1200 v 、 60 mΩ sic mosfet 采用 TO247 31-3 封裝,基于最先進的 trench 半導體工藝,經過優化可將性能與可靠性相結合。與基于硅( si )的傳統開關(如溝器和 mosfet )相比、 sic mosfet 具有一系列優勢。

同類最佳的開關和傳導損耗
基準高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關閉柵極電壓、用于輕松簡單的柵極驅動
寬柵 - 源電壓范圍
堅固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
溫度獨立關閉開關損耗


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 36 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 PG-TO247-3
引腳數目 3
最大漏源電阻值 60 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.5V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
暫無
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