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Infineon IPB60R040C7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB60R040C7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPB60R040C7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 設計是一 C7 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術,符合超級連接( sj )原理,由 Infineon 技術開創。600V cool mos ? C7 系列結合了領先的 sj mosfet 供應商的經驗和高級創新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項技術。

適用于硬切換和軟切換( pfc 和高性能 llc )、將 mosfet dv/dt 堅固性提高到 120V / ns
由于同類最佳 fom rds (接通) * eoss 和 rds (接通) * qg 、提高了效率
同類最佳 rds (接通) / 封裝


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 50 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 Pg 至 263
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.0 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料
暫無
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