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英飛凌 IPT015N10N5ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPT015N10N5ATMA1      品牌:IPT

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英飛凌 IPT015N10N5ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon MOSFET

Infineon HSOF-8 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產品、在 10V 柵源電壓下具有 1.5mohm 的漏極源電阻。MOSFET 具有 300A 的連續漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 100V 。它的最大功耗為 375W 。 MOSFET 的最小和最大驅動電壓分別為 6V 和 10V 。它經過優化、可降低開關和傳導損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。

特點和優勢

? 100% 雪崩測試
?出色的柵電荷 x RDS (接通)產品( FOM )
? 無鹵素
?適用于高切換頻率
?無鉛 (Pb) 電鍍
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?針對同步整流進行了優化
?輸出電容降低高達 44%
? RDS (接通)降低多達 44%
?極低接通電阻 RDS (接通)

應用

?適配器
?輕型電動車
?低電壓驅動
?服務器電源
? 太陽能
? 電信

認證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 300 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 HSOF-8.
安裝類型 表面安裝器件
引腳數目 8 + Tab
最大漏源電阻值 2 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.8V
最小柵閾值電壓 2.2V
最大功率耗散 375 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
長度 10.1mm
最高工作溫度 +175 °C
寬度 10.58mm
典型柵極電荷@Vgs 169 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 1
暫無
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