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Infineon IPT60R150G7XTMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPT60R150G7XTMA1      品牌:IPT

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPT60R150G7XTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon CoolMOS C7 鍍金超結(jié) MOSFET 系列 (G7) 結(jié)合了改進(jìn)的 600V CoolMOS ? C7 鍍金技術(shù)的優(yōu)點(diǎn), 4 引腳 Kelvin 源容量和 TO 無鉛 (Toll) 封裝的改進(jìn)熱特性,可為高達(dá) 3kW 的高電流硬切換拓?fù)?(如功率因數(shù)校正 (PFC)) 和高端 LLC 等諧振電路提供可能的 SMD 解決方案。

提供杰出 FOM R DS (on) XE OSS 和 R DS (on) XQ G
以最小的占用空間啟用杰出 R DS (on)
內(nèi)置第 4 引腳 Kelvin 源配置和低寄生源電感 (~1nH)
符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn),完全無鉛,具有輕松的 Visual 檢查槽形引線
可提高熱性能
由于改進(jìn)的 C7 Gold 技術(shù)和更快的切換速度,效率更高
由于具有低 R DS (on) 和小尺寸,通過更換封裝 (高度限制) 或由于熱或 R DS (on) 要求而并聯(lián) SMD 封裝,提高了功率密度


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 23 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-HSOF-8.
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.15. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無
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