DiodesZetex 制造 P 通道增強模式 MOSFET，設計用于最大程度地減少接通狀態電阻 （RDS（ON）），同時保持出色的切換性能，使其特別適用于高效電源管理應用。它是一種綠色設備，完全無鉛、鹵素和抗鋅。此 MOSFET 采用 SO-8 封裝。它提供快速切換和高效率。
最大排放到源電壓為 600 V，最大門到源電壓為 ±30 V，提供低接通電阻，具有 高 BVDSS 額定值，適用于電源應用，提供低輸入電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 160 mA |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 20 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
