,,

分類：

當(dāng)前位置：首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Fairchild Semiconductor FDFMA2P029Z MOSFET

訂貨號：FDFMA2P029Z 品牌：IRC

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場價：￥0.00 品牌商：￥0.00

暫無報價

立即購買加入購物車立即詢價

公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電話：
手機：
地址：
通訊：

主營產(chǎn)品：

店鋪主頁

您還不是會員，無法查看相關(guān)信息

去登錄

替代產(chǎn)品
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

P 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET，帶肖特基二極管，F(xiàn)airchild Semiconductor

設(shè)計用于手機及其他超便攜式應(yīng)用中的電池充電開關(guān)
獨立連接的低正向電壓肖特基二極管可實現(xiàn)最小的傳導(dǎo)損耗

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	3.1 A
最大漏源電壓	20 V
封裝類型	MLP
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	141 mΩ
通道模式	增強
最大功率耗散	1.4 W
最大柵源電壓	-12 V、+12 V
典型柵極電荷@Vgs	7 nC @ 10 V
寬度	2mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
長度	2mm

暫無

正在載入評論詳細...

欧美成人黄色网_欧美精品久久_国产在线一区二区三区_免费视频久久久_亚洲二区视频_欧美大片免费高清观看

工業(yè)電氣產(chǎn)品

工業(yè)控制產(chǎn)品

傳感測量產(chǎn)品

儀表工具產(chǎn)品

工業(yè)電子產(chǎn)品

機械設(shè)備產(chǎn)品

Fairchild Semiconductor FDFMA2P029Z MOSFET

公司基本資料信息

推薦商品

P 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET，帶肖特基二極管，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

新手指南

業(yè)務(wù)合作

物流配送

支付方式

售后服務(wù)

關(guān)于我們