Infineon 設計是一 C7 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，符合超級連接（ sj ）原理，由 Infineon 技術開創。600V cool mos ? C7 系列結合了領先的 sj mosfet 供應商的經驗和高級創新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項技術。
適用于硬切換和軟切換（ pfc 和高性能 llc ）、將 mosfet dv/dt 堅固性提高到 120V / ns
由于同類最佳 fom rds （接通） * eoss 和 rds （接通） * qg 、提高了效率
同類最佳 rds （接通） / 封裝
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 31 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Pg 至 263-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.099 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
