Infineon 6 mo 、 1200 v 半橋模塊采用碳化硅 mosfet 、具有 ntc 溫度傳感器和壓配觸點技術。它還提供熱接口材料。
高電流密度
低電感設計
低切換損耗
符合 rohs 標準的模塊
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 200 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | Easy 2B ? / 模塊 |
| 引腳數目 | 35 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00825 Ω μ m |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5.55V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 晶體管材料 | SiC |
