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Fairchild Semiconductor FDMS3626S MOSFET

訂貨號：FDMS3626S 品牌：IRC

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PowerTrench? 雙 N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

SEMis PowerTrench ? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。它們結合了小柵電荷，小反向恢復和軟反向恢復主體二極管，有助于在交流 / 直流電源中快速切換同步整流。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	25 A
最大漏源電壓	25 V
封裝類型	Power 56
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	7 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	0.8V
最大功率耗散	2.5 W
晶體管配置	串行
最大柵源電壓	-12 V、+12 V
典型柵極電荷@Vgs	26 nC @ 10 V
長度	5.1mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	2
晶體管材料	Si
寬度	6.1mm

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