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onsemi NVMTS0D7N04CLTXG MOSFET

訂 貨 號:NVMTS0D7N04CLTXG      品牌:MTS

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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onsemi NVMTS0D7N04CLTXG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 8x8mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。

體積小( 8 x 8 毫米)
低 RDS(接通)
低 QG 和電容
可潤側(cè)翼選件
支持 PPAP
緊湊設(shè)計(jì)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動器損耗
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
切換電源
電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器、半橋等)
最終產(chǎn)品
電動機(jī)控制 - EPS 、雨刷、風(fēng)扇、座椅等
負(fù)載開關(guān) - ECU 、底盤、車身


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 433 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 Dfnw
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 630 μΩ μ a
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 205 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 99 nc @ 4.5 V
寬度 8mm
長度 8.1mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
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