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Microchip 2N7000-G MOSFET

訂 貨 號(hào):2N7000-G      品牌:Microchip

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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Microchip 2N7000-G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

2N7000 是一款增強(qiáng)型(常閉)晶體管,采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關(guān)和放大應(yīng)用。

無次級(jí)擊穿
低功率驅(qū)動(dòng)要求
易于并聯(lián)
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 200 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-92
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 5.3 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3V
最小柵閾值電壓 0.8V
最大功率耗散 1 W
晶體管配置
最大柵源電壓 30 V
寬度 4.06mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 5.08mm
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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