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訂 貨 號(hào):IPDD60R190G7XTMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 技術(shù)引入了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設(shè)備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務(wù)器和電信等高功率開關(guān)電源應(yīng)用。現(xiàn)有的高電壓技術(shù) 600V coolmos ? G7 超接點(diǎn)( sj ) mosfet 的優(yōu)勢(shì)與創(chuàng)新的頂部冷卻概念相結(jié)合,為高電流硬切換拓?fù)洌ㄈ?pfc )提供系統(tǒng)解決方案,并為 llc 拓?fù)涮峁└叨诵式鉀Q方案。
實(shí)現(xiàn)最高能效
板和半導(dǎo)體的熱去耦可克服熱印刷電路板限制
寄生源電感降低、提高效率和易用性
支持更高的功率密度解決方案
高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | DDPAK |
| 引腳數(shù)目 | 10 |
| 最大漏源電阻值 | 190 米Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |