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這款低閾值增強(qiáng)型（常閉）晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用。

低閾值 - 2.0 V（最大值）
高輸入阻抗
低輸入電容 - 100 pF（典型值）
切換速度快
低接通電阻
無(wú)次級(jí)擊穿
低輸入和輸出泄漏