the Infineon C7 超結 mosfet 系列是革命性的技術進步、可提供世界上最低的 rds （接通） / 封裝、并且由于其低切換損耗、在整個負載范圍內效率得到了提高。
650V 電壓
革命性杰出的 r ds （ on ） /
減少輸出電容（ eoss ）中存儲的能量
降低柵極電荷 qg
通過使用更小的封裝或減少使用、節省空間 零件
改進的安全裕度、適用于開關電源和太陽能 變頻器應用
最低傳導損耗 / 封裝
低切換損耗
更好的輕負載效率
提高功率密度
卓越的 cool mos ?
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 145 A |
| 最大漏源電壓 | 700 V |
| 封裝類型 | Pg 至 247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.065 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
