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DN2625 是一款低閾值耗盡型(常開)晶體管,采用先進(jìn)的垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級擊穿的影響。
其他特點(diǎn):極低的柵極閾值電壓
設(shè)計為源極驅(qū)動
低切換損耗
低有效輸出電容
設(shè)計用于感性負(fù)載
當(dāng)由 MD2130 驅(qū)動時,可完美匹配低二次諧波
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 1.1 A |
| 最大漏源電壓 | 250 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 3.5 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 寬度 | 6.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 長度 | 6.6mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |