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Infineon IPB60R060C7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPB60R060C7ATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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Infineon IPB60R060C7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

英飛凌 CoolMOS C7 是一項針對高壓功率 MOSFET 的革命性技術，根據(jù)超結 (SJ) 原理設計，由英飛凌技術開創(chuàng)。此系列將領先的超結 MOSFET 供應商的經驗與高級創(chuàng)新結合在一起。600V C7是有史以來第一個RDS（接通）A低于1Ohm*mm2的技術。 它適用于硬質和軟質切換（PFC 和高性能 LLC）。它的MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns，并提高了效率。

通過降低開關損耗實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率
功率密度增加的解決方案得益于由于較小的封裝
適用于服務器、電信和太陽能等應用


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 35 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
暫無
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