此新一代 MOSFET 設計旨在最大程度減少 RDS（接通）損耗但保持卓越的切換性能。此器件特別適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關。
高熱效率封裝 - 應用工作溫度更低
高轉換率
低 RDS（接通）- 可最大程度減少通態損耗
<1.1mm 封裝型 - 特別適用于薄應用
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 150 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.4V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.5V |
| 最大功率耗散 | 80 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±12 V |
| 寬度 | 5.1mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 6mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 177 nC @ 10V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
