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Toshiba MOSFET 由硅材料制成,具有 N 溝道 MOS 型。它主要用于高效率直流 - 直流轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器應(yīng)用。
高速切換
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 168 A |
| 最大漏源電壓 | 75 V |
| 封裝類型 | SOP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 2.6e+006 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |