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the Infineon C7 超結(jié) mosfet 系列是革命性的技術(shù)進步、可提供世界上最低的 rds （接通） / 封裝、并且由于其低切換損耗、在整個負載范圍內(nèi)效率得到了提高。

650V 電壓
革命性杰出的 r ds （ on ） /
減少輸出電容（ eoss ）中存儲的能量
降低柵極電荷 qg
通過使用更小的封裝或減少使用、節(jié)省空間 零件
12 年超結(jié)技術(shù)制造經(jīng)驗
改進的安全裕度、適用于開關(guān)電源和太陽能 變頻器應(yīng)用
最低傳導(dǎo)損耗 / 封裝
低切換損耗
更好的輕負載效率
提高功率密度
卓越的 cool mos ?