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Infineon IPTC019N10NM5ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPTC019N10NM5ATMA1      品牌:IPT

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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Infineon IPTC019N10NM5ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon IPTC019N10NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分,采用直插式 TOP 側冷卻封裝,可提供卓越的熱性能。此創新型封裝結合 OptiMOS 5 技術的主要功能,使杰出產品具有 100 V 電壓以及 300 A 的高電流額定值,適用于高功率密度設計。通過 TOP 側面冷卻設置,排放器暴露在封裝表面, 95% 的散熱可直接提升到散熱器,與收費封裝相比, RthJA 性能提高 20% , RthJC 性能提高 50%。通過 Toll 或 D2PAK 等底部散熱封裝,熱量通過印刷電路板散熱到散熱器,導致高功率損耗。

負支架
在冷卻系統中節省成本
提高系統效率,延長電池壽命


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 279 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 PG-HDSOP-16.
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 16
最大漏源電阻值 0.0019 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.8V
每片芯片元件數目 1
暫無
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