ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 電源溝道工藝生產，該工藝包含屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
有效減少傳導損耗
高 Peak UIS 電流容量，堅固耐用
無鹵
無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 110 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0076 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
