Infineon IPDQ60R010S7 是 N 溝道功率 MOSFET ，可為低頻切換應用提供最佳性能。MOSFET 經優化可用于靜態切換和高電流應用。它特別適用于固態繼電器和斷路器設計以及內部整流 inSMPS 和變頻器拓撲。
最大限度地減少傳導損耗
提高能效
更緊湊，更輕松的設計
采用固態設計，可消除或減少散熱片
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | PG-HDSOP-22 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 22 |
| 最大漏源電阻值 | 0.01 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
