UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態電阻，還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外，內部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應力。
UniFET? MOSFET 適用于開關電源轉換器應用，如功率因數校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（先進技術擴展）和電子燈鎮流器。
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 6.5 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.25 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 147 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 寬度 | 4.83mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
| 長度 | 10.67mm |
| 晶體管材料 | Si |
