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MOSFET IPT020N10N5 采用 Infineon TO-Leadless 封裝的 Infineon 工業(yè)電力場效應(yīng)晶體管是高開關(guān)頻率的理想選擇。
非常適合高頻開關(guān)和同步
出色的柵極電荷 x RDS(導(dǎo)通)產(chǎn)品(FOM)
超低導(dǎo)通電阻 RDS(導(dǎo)通)
超低導(dǎo)通電阻 RDS(導(dǎo)通)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 260 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | D2PAK |
安裝類型 | 表面安裝器件 |