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Infineon IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPDD60R080G7XTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPDD60R080G7XTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon 技術(shù)引入了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務器和電信等高功率開關(guān)電源應用?,F(xiàn)有的高電壓技術(shù) 600V cool mos G7 superjunction ( sj )的優(yōu)勢使凝集與創(chuàng)新的頂部冷卻概念相結(jié)合、為高電流硬切換拓撲(如 pfc )提供系統(tǒng)解決方案、為 llc 拓撲提供高端效率解決方案。

提供杰出的 fom rds (接通) x eoss 和 rds (接通) x
創(chuàng)新的頂部冷卻概念
內(nèi)置 4th 引腳 kelvin 源配置和低寄生源 電感
2 >> 、 000 次循環(huán)的 t15000 次循環(huán)能力、 符合 MSL1 標準、完全無鉛
實現(xiàn)最高能效
板和半導體的熱去耦可克服熱問題 印刷電路板限制
寄生源電感降低、提高了 e 效率和易用性
支持更高的功率密度解決方案
高品質(zhì)標準


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 83 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 Pg/hdsop
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 10
最大漏源電阻值 0.08 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無
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